Aufgrund der kontinuierlichen Miniaturisierung in der Elektronikindustrie, werden die neu entwickelten Halbleiter-Chips immer kleiner und dünner. Außerdem sind neue Materialien, die zur Herstellung von Chips verwendet werden, hinzugekommen. In der Vergangenheit wurden in den meisten Fällen zur Halbleiterherstellung Silizium (Si) oder Germanium (Ge) verwendet. Besonders getrieben durch die Entwicklung neuer Generationen von Laser-, LED, Dioden-, oder Transistorhalbleitern, kommen nun auch Materialien wie Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) oder z.B. Siliziumcarbid (SiC), zum Einsatz. Einige dieser Verbindungshalbleiter wie z.B. Galliumarsenid (GaAs) haben bei Ihren positiven elektrischen Eigenschaften aber den Nachteil, dass sie mechanisch nicht sehr stabil sind und schnell brechen. Dieses führt zu enormen Herausforderungen beim Chip Bonden in der Aufbau- und Verbindungstechnologie. Aus diesem Grund wurde nun der erste, luftgelagerter Bondkopf zum kraftkontrollierten Platzieren von hochsensiblen Bauelementen entwickelt, der minimale Aufsetzkräfte beim Bonden zu realisieren.
Der luftgelagerten Bondkopf ermöglicht beim Aufsetzen des Chips eine spiel- und reibungsfreie Bewegung in der Vertikalen. Das Luftlager wird durch Vakuum bzw. Druckluft in einem Schwebezustand gehalten und über ein Proportionalventil, dass von Vakuum bis Atmosphärendruck arbeiten kann, gesteuert. Der Bondkopf erkennt sich verändernde Gewichte und kann somit jederzeit den Schwebezustand beibehalten. Hierdurch entsteht eine Gewichtskompensation des Bauelements. Über eine Änderung des Proportionalventil von Vakuum auf Druck kann nun eine definierte Gewichtskraft in vertikaler Richtung auf das zu platzierende Halbleiterbauteil ausgeübt werden und mit einer exakten Kraft aufgesetzt bzw. aufgenommen werden.
