Unbearbeitete Substrate und SiC-MOSFETs können gleichzeitig in den Sinterbonder transportiert werden, indem zwei Fördersysteme eingesetzt werden. Auf diese Weise kann die Zuführung weiterer SiC-MOSFETs sowie die Entnahme fertiger Gehäuse automatisch und mit optimierten Taktzeiten erfolgen.
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