Während des Sinterprozesses wird der Chip durch Silberpaste nicht nur elektrisch, sondern auch thermisch mit dem Substrat verbunden. Dies geschieht mit Hilfe von Wärme (über 220°C) und einem Druck von mindestens 50 bar bis zu 300 bar.
Die Silberpartikel werden durch Diffusionsprozesse miteinander verbunden. Der Vorteil gegenüber normalen Lötverfahren ist die sehr hohe thermomechanische Stabilität, die vor allem in der Leistungselektronik erforderlich ist.
